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    SMD1003一氧化碳傳感器



      SMD1003一氧化碳氣體傳感器是基于特定半導體氣敏材料開發的MEMS微型氣體傳感器,可用于檢測不同場景下的一氧化碳氣體含量,同時可以抵抗酒精等常見有機氣體的干擾。 


    主要特點:
         

    本品采用MEMS工藝,結構堅固,對一氧化碳靈敏度高;具有尺寸小、功耗低、靈敏度高、響應恢復 快、驅動電路簡單、穩定性好、壽命長等優點。


    技術參數:

    產品型號

    SMD1003

    產品類型

    MEMS半導體傳感器

    標準封裝

    陶瓷封裝

    檢測氣體

    一氧化碳

    檢測濃度

    0500ppm(一氧化碳、人工煤氣)

    分辨率

    10ppm

    工作溫度

    -20-55

    工作濕度

    10-95%RH

    標準電路條件

    回路電壓

    VC

    MCUI/O來輸出高電平5V或者3.3V

    加熱電壓

    VH+

    3.3V±0.1V AC / DC

    負載電阻

    RL

    可調(以出貨報告為準

    標準測試條件下氣敏元件特性

    加熱電阻

    RH

    310Ω±10Ω(室溫)

    加熱功耗

    PH

    30mW

    敏感體電阻

    R0

    100kΩ3000KΩ(in air)

    靈敏度

    S

    R0(in air)/Rs(in 100ppmCO)≥5

    斜率

    α

    0.5(R300ppm/R50ppmCO

    標準測試條件

    溫度、濕度

    25℃±2℃;55%±5%RH

    標準測試電路

    Vcc5V或者3.3V

    VH : 3.3V±0.1V

    預熱時間

    5min

    響應時間(T90

    <30s

    恢復時間(T10

    <60s

    壽命

    3




    模組尺寸


    管腳定義

    Terminal Functions

    NO.

    NAME

    DESCRIPTION

    1

    HOT1+

    Heater1

    2

    VCC

    Sensor electrode

    3

    HOT2+

    /

    4

    NG

    /

    5

    NG

    /

    6

    Vout2

    /

    7

    HOT

    Heater2

    8

    Vout1

    Sensor electrode



    特性曲線:


          注:圖中所有測試均在標準測試條件下完成,Ro表示傳感器在潔凈空氣中的穩定電阻,Rs表示傳感器在一定濃度的氣體氛圍中的穩定電阻值,橫坐標為持續通電的老化時間,縱坐標為傳感器的實際電阻值

    傳感器靈敏度特性曲線

    傳感器響應恢復曲線

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    傳感器溫度校準曲線

    傳感器長期穩定性曲線



    注意事項:
     

    1.1 暴露于可揮發性硅化合物蒸氣中                    

    傳感器要避免暴露于硅粘接劑、發膠、硅橡膠、膩子或其它存在可揮發性硅化合物的場所。如果傳感器的表面吸附了硅化合物蒸氣,傳感器的敏感材料會被硅化合物分解形成的二氧化硅包裹,抑制傳感器的敏感性,并且不可恢復。  

    1.2 高腐蝕性的環境

    傳感器暴露在高濃度的腐蝕性氣體(如 H2S,SOX,Cl2,HCl 等)中,不僅會引起加熱材料及傳感器引線的腐蝕或破壞,并會引起敏感材料性能發生不可逆的劣變。 

    1.3 堿、堿金屬鹽、鹵素的污染   

    傳感器被堿金屬尤其是鹽水噴霧污染后,或暴露在鹵素如氟利昂中,也會引起性能劣變。  

    1.4 接觸到水  

    濺上水或浸到水中會造成傳感器敏感特性下降。                 

    1.5 結冰      

    水在傳感器敏感材料表面結冰會導致敏感層碎裂而喪失敏感特性。          

    1.6 施加電壓過高  

    如果給傳感器或加熱器施加的電壓高于規定值,即使傳感器沒有受到物理損壞或破壞,也會造成引線和/或加熱器損壞,并引起傳感器敏感特性下降。  

    1.7 電壓加錯管腳

       如果給傳感器或加熱和信號管腳電壓加錯,也會造成引線和/或加熱器損壞,并引起傳感器敏感特性下降。


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